“十五五”規(guī)劃開局之年，富加鎵業(yè)再次迎來歷史性突破！

　　3月26日，富加鎵業(yè)宣布在國(guó)際上首 次成功制備出12英寸氧化鎵（Ga?O?）單晶，這是繼2025年12月成功制備8英寸氧化鎵晶體后，再次取得的重大技術(shù)突破。這一突破不僅刷 新了全 球氧化鎵單晶尺寸的最 高紀(jì)錄，更標(biāo)志著我國(guó)在第 四代半導(dǎo)體核心材料產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程中邁出了決定性一步，而富加鎵業(yè)也成為國(guó) 際上首 家掌握12英寸氧化鎵單晶生長(zhǎng)技術(shù)的企業(yè)。

富加鎵業(yè)12英寸氧化鎵單晶（直徑305mm）

　　氧化鎵是第 四代半導(dǎo)體領(lǐng) 域代表性材料，因其卓 越的耐高壓、低損耗、抗輻照等特性，在數(shù)據(jù)中心、新能源、6G通信、可控核聚變、智能電網(wǎng)、軌道交通、航空航天等領(lǐng) 域具有廣闊的應(yīng)用前景。

　　國(guó)家“十五五”規(guī)劃綱要明確提出要“推動(dòng)氧化鎵、金剛石等超寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化發(fā)展”。此次富加鎵業(yè)12英寸氧化鎵單晶制備技術(shù)的突破，正是對(duì)國(guó)家戰(zhàn)略的有力回應(yīng)，為我國(guó)發(fā)展"新質(zhì)生產(chǎn)力"、搶占未來產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)制高點(diǎn)提供了堅(jiān)實(shí)的材料基礎(chǔ)，為全 球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展注入了強(qiáng)勁的“中國(guó)動(dòng)力”。

　　晶圓尺寸是衡量半導(dǎo)體技術(shù)先進(jìn)性和成本效益的核心指標(biāo)。從8英寸到12英寸，并非簡(jiǎn)單的尺寸放大，而是一次產(chǎn)業(yè)層面的戰(zhàn)略性飛躍。12英寸晶圓意味著單片晶圓可制造的芯片數(shù)量倍增，能夠大幅攤薄生產(chǎn)成本，為氧化鎵器件的大規(guī)模市場(chǎng)應(yīng)用掃清了關(guān)鍵的成本障礙；也意味著未來氧化鎵功率器件的制造可無縫導(dǎo)入現(xiàn)有成熟的12英寸硅基集成電路產(chǎn)線，極 大地降低了下游廠商的設(shè)備投資和產(chǎn)線切換成本，從而能夠以前所未有的速度推動(dòng)產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程。

　　下一步富加鎵業(yè)將與下游用戶一起開展“襯底-外延-器件-模組”全鏈條協(xié)同攻關(guān)，助力我國(guó)高 性能氧化鎵功率器件的全產(chǎn)業(yè)鏈貫通，加速氧化鎵高壓大功率電力電子器件產(chǎn)業(yè)的快速落地，早日實(shí)現(xiàn)“讓世界用上好材料”的愿景。

　　產(chǎn)品介紹

　　氧化鎵設(shè)備：

　　公司研制了國(guó) 際上首 臺(tái)具備“一鍵長(zhǎng)晶”功能的EFG設(shè)備，可以滿足2-6英寸晶體生長(zhǎng)需求，目前獲得國(guó)內(nèi)授權(quán)專利6項(xiàng)，國(guó)際授權(quán)專利4項(xiàng)，可提供設(shè)備及配套工藝包。公司自行研制了全自動(dòng) VB 晶體生長(zhǎng)設(shè)備，并在國(guó)內(nèi)率 先突 破了6英寸單晶生長(zhǎng)技術(shù)瓶頸，實(shí)現(xiàn)了大尺寸 VB 法單晶制備。目前獲得國(guó)內(nèi)授權(quán)專利6項(xiàng)，國(guó)際授權(quán)專利4項(xiàng)，可根據(jù)客戶需求提供VB設(shè)備及工藝包。

　　氧化鎵單晶襯底：

　　作為中國(guó)最 早投身氧化鎵單晶生長(zhǎng)研究的先 行者與業(yè) 界領(lǐng) 先的供應(yīng)商，我們致力于為全 球客戶提供卓 越的氧化鎵單晶襯底。我們的產(chǎn)品線覆蓋2-6英寸26種常規(guī)性氧化鎵襯底產(chǎn)品，并能夠提供尺寸，電學(xué)性能與晶向的定制化方案，滿足高質(zhì)量外延片研發(fā)及批量制備需求。

　　氧化鎵外延片：

　　基于成熟的 MOCVD（金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積）與 MBE（分子束外延）技術(shù)平臺(tái)，我們的產(chǎn)品線覆蓋 2-6 英寸等15種常規(guī)性氧化鎵外延片產(chǎn)品，及定制化 MBE 氧化鎵外延片產(chǎn)品，為客戶提供 “襯底-外延”一體化解決方案。外延層生長(zhǎng)過程采用精準(zhǔn)的工藝控制體系，可根據(jù)客戶需求定 制外延層厚度、摻雜濃度、組分均勻性等關(guān)鍵參數(shù)，能夠滿足不同功率等級(jí)、不同功能類型的器件研發(fā)與生產(chǎn)需求。

　　企業(yè)簡(jiǎn)介

　　杭州富加鎵業(yè)科技有限公司

　　公司成立于2019年12月31日，公司以“讓世 界用上好材料”為愿景，開展超寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵材料的產(chǎn)業(yè)化工作，核心產(chǎn)品為氧化鎵單晶襯底、MOCVD/MBE 外延片、布里奇曼法（VB法）及導(dǎo)模法(EFG法)晶體生長(zhǎng)裝備等，為材料研制提供系統(tǒng)性解決方案，加速超寬禁帶氧化鎵產(chǎn)業(yè)全鏈路貫通，推進(jìn)氧化鎵材料在功率器件、微波射頻器件及光電探測(cè)等領(lǐng) 域應(yīng)用。公司在氧化鎵領(lǐng) 域發(fā)展方面取得的系列重要成果已獲CCTV1、CCTV2、《人民日?qǐng)?bào)》、新華網(wǎng)、《中國(guó)證券報(bào)》、澎湃新聞等知 名媒體專題宣傳報(bào)道。企業(yè)榮譽(yù)匯總： 2022年獲得浙江省科技型中小企業(yè)；2023年獲得國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)；2024年獲得杭州市企業(yè)高新技術(shù)研發(fā)中心及浙江省專 精特新中小企業(yè)；2025年獲得 ISO9001質(zhì)量體系認(rèn)證（編號(hào)：20225Q20294R0M）；2024年度杭州市“新雛鷹”企業(yè)；在氧化鎵領(lǐng) 域，正牽頭起草氧化鎵領(lǐng) 域首 個(gè)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)，并承擔(dān)了國(guó)家發(fā)改委項(xiàng)目1項(xiàng)，國(guó)家工信部項(xiàng)目1項(xiàng)，參與了國(guó)家自然科學(xué)基金委、浙江省、上海市等國(guó)家及省 部級(jí)項(xiàng)目3項(xiàng)。另外，獲得國(guó)際專利授權(quán)14項(xiàng)（美國(guó) 6 項(xiàng)，日本7項(xiàng)，歐洲1項(xiàng)），國(guó)內(nèi)專利授權(quán)42項(xiàng)，“富加鎵業(yè)”商標(biāo)認(rèn)證注冊(cè)3項(xiàng)，軟件著作權(quán)（“一鍵長(zhǎng)晶”控制軟件）5項(xiàng)。

責(zé)編：hxq　

〖免責(zé)申明〗本文僅代表作者個(gè)人觀點(diǎn)，其圖片及內(nèi)容版權(quán)僅歸原所有者所有。如對(duì)該內(nèi)容主張權(quán)益請(qǐng)來函或郵件告之，本網(wǎng)將迅速采取措施，否則與之相關(guān)的糾紛本網(wǎng)不承擔(dān)任何責(zé)任。